진성 반도체에 있어서 전도대의 전자밀도(n)는 에너지 갭(Eg)의 크기… | [전자기사 필기] 18년 3회차 기출문제 상세 페이지

진성 반도체의 전도대 전자밀도는 에너지 갭이 커질수록 지수 함수적으로 감소한다.
$n\propto\exp\!\left(-\dfrac{E_g}{2kT}\right)$
지수의 부호가 음이므로 $E_g$가 커질수록 전자를 전도대로 올리기 어려워 $n$이 급격히 작아진다.
나머지 보기는 이 관계와 맞지 않다.
$E_g$의 증가에 지수 함수적으로 증가한다는 것은 지수의 부호가 반대여서 옳지 않다.
$E_g$에 반비례한다는 것은 $1/E_g$ 꼴이 아니라 지수 함수 꼴이므로 옳지 않다.
$E_g$에 비례한다는 것은 선형 관계가 아니고 증가 방향도 반대이므로 옳지 않다.