열평형상태에 있는 반도체에서 가전자대 정공농도(po)와 전도대 전자농도… | [전자기사 필기] 18년 3회차 기출문제 상세 페이지

pn적이 금지대 에너지 폭에 직접 의존하므로(지수 부분에 $E_g$ 포함), pn적은 온도와 금지대 에너지 폭의 함수이다.
열평형상태의 반도체에서 pn적($n_o p_o$)은 질량작용법칙(mass action law)으로 표현되며, $n_o p_o = n_i^2 = N_c N_v \exp\left(-\frac{E_g}{k_B T}\right)$이다. 여기서 $n_i$는 본질 캐리어 농도, $N_c$와 $N_v$는 전도대와 가전자대의 유효 상태밀도(온도에 의존), $E_g$는 금지대 에너지 폭, $T$는 절대온도이다.
pn적은 온도에만 의존하며 불순물 밀도와는 무관하다(불순물은 n과 p의 개별 값을 결정하지만 곱은 변하지 않음).