반도체 IC의 절연 방법(isolation) 중 pn접합에 의한 절연과… | [전자기사 필기] 22년 1회차 기출문제 상세 페이지

산화막 절연은 마스킹, 산화, 식각 등 여러 공정 단계가 필요하여 pn접합 절연(단순 도핑)보다 공정이 더 복잡하므로, 제조공정이 간단하다는 설명은 거짓이다.
반도체 IC의 절연 방법 중 산화막 절연(oxide isolation, 특히 LOCOS나 STI)의 특징을 pn접합 절연과 비교하면 다음과 같다.
역바이어스가 필요 없다(참): 산화막 절연은 전기적 성질이 아닌 물리적 장벽으로 작동하므로 역바이어스가 필요 없다.
기생 용량 감소(참): pn접합 절연은 공핍층의 결합 용량이 발생하지만 산화막 절연은 기생 용량이 훨씬 작다.
거의 완벽한 절연(참): 산화막(SiO₂)은 매우 높은 절연 강도를 가져 거의 완벽한 절연을 제공한다.