전압 스너버(snubber) 회로에 관한 설명으로 틀린 것은? | [전기기능장 필기] 18년 1회차 기출문제 상세 페이지

전압 스너버 회로는 di/dt가 아니라 전력용 반도체 소자에 걸리는 전압(dv/dt)의 급변을 억제하기 위한 회로이므로, "전력용 반도체 소자의 전류상승률(di/dt)을 저감하기 위한 것이다."는 옳지 않다.
전압 스너버는 저항과 커패시터로 구성되어 소자와 병렬로 접속되며 스위칭 시 발생하는 과전압을 흡수해 소자를 보호하고, di/dt 억제는 소자와 직렬로 접속하는 전류 스너버(리액터)의 역할이다.
"저항(R)과 캐패시터(C)로 구성된다."는 전압 스너버 회로의 실제 구성과 일치하는 옳은 설명이다.
"전력용 반도체 소자와 병렬로 접속된다."는 전압 스너버의 접속 방식과 일치하는 옳은 설명이다.
"전력용 반도체 소자의 보호회로로 사용된다."는 전압 스너버의 용도와 일치하는 옳은 설명이다.