다음 회로의 설명으로 틀린 것은? (단, hfe1=Q1의 순방향 전류 … | [정보통신산업기사 필기] 15년 3회차 기출문제 상세 페이지

그림은 Q1 의 이미터가 Q2 의 베이스에 연결되고 두 컬렉터가 VCC 에 묶인 달링턴 접속이며, 출력은 Q2 이미터 저항 양단에서 꺼내는 이미터 폴로어 구성이라 전압이득은 1보다 약간 작다. 따라서 전압이득이 1보다 크다는 설명이 틀렸다.
이미터 폴로어는 출력 전압이 입력 전압에서 베이스–이미터 전압만큼 낮게 따라가므로 전압이득이 1을 넘을 수 없고, 대신 전류를 크게 증폭한다.
달링턴 접속이라는 설명: 앞단 이미터가 뒷단 베이스를 직접 구동하고 컬렉터가 공통인 그림 구조 그대로이므로 옳다.
전류증폭률 설명: 앞단 이미터 전류 $(1+h_{fe1})i_b$ 가 뒷단 베이스 전류가 되어 전체 전류증폭률이 $(1+h_{fe1})(1+h_{fe2})$ 로 곱해지므로 옳다(보기의 첫 괄호 'h+h fe1' 은 1+hfe1 의 표기 손상).
입력저항이 높고 출력저항이 낮다는 설명: 이미터 저항이 두 단의 전류증폭률만큼 확대되어 입력 쪽에 보이고, 출력은 이미터에서 꺼내 저항이 낮으므로 옳다.