다음 중 DRAM의 구조에서 존재하지 않는 동작은 무엇인가? | [정보통신산업기사 필기] 16년 3회차 기출문제 상세 페이지

DRAM 구조에 존재하지 않는 동작은 래치이다.
DRAM 셀은 트랜지스터 1개와 콘덴서 1개로 이루어져 콘덴서의 전하로 정보를 저장한다. 전하가 시간이 지나면 새어 나가므로 쓰기·읽기와 함께 주기적으로 다시 충전하는 재충전(리프레시) 동작이 필요하다. 반면 래치(교차 결합 플립플롭)로 전원이 있는 동안 정보를 유지하는 것은 SRAM의 구조이다.
쓰기 모드는 DRAM 셀의 콘덴서에 전하를 기록하는 동작이다.
읽기 모드는 DRAM 셀에 저장된 전하 상태를 감지해 꺼내는 동작이다.
보기의 '대충전'은 재충전(리프레시)으로 읽으며, 전하가 새는 DRAM에 꼭 필요한 동작이다.