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1[정보통신산업기사 필기] 16년 3회차
P형과 N형 사이에 샌드위치 형태의 특별한 반도체층인 진성층을 갖고 있으며, 이 층이 다이오드의 커패시턴스를 감소시켜 일반적인 다이오드보다 고주파에서 동작하며, RF 스위칭용으로 사용되는 다이오드는?
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핀(PIN) 다이오드
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건(Gunn) 다이오드
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임팻(IMPATT) 다이오드
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터널(Tunnel) 다이오드
해설
진성층을 가진 RF 스위칭용 다이오드는 핀(PIN) 다이오드이다.
P층과 N층 사이의 진성(I)층이 접합 정전용량을 줄여 고주파에서 동작하므로 RF 스위치에 쓴다.
- 건(Gunn) 다이오드: 반도체 벌크의 부성저항으로 마이크로파를 발진시킨다.
- 임팻(IMPATT) 다이오드: 애벌란시 항복과 전자 주행시간 지연으로 마이크로파를 발진·증폭한다.
- 터널(Tunnel) 다이오드: 터널 효과에 의한 부성저항으로 발진·고속 스위칭에 쓴다.
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