다음 회로는 FET를 이용한 Coltage-series 궤환 증폭회로이… | [정보통신산업기사 필기] 21년 3회차 기출문제 상세 페이지

궤환이 없을 때 전압이득은 $A_V=\dfrac{\mu R}{r_d+R}$입니다.
그림은 드레인이 $V_{CC}$에 연결되고 소스와 접지 사이의 저항 R 양단에서 출력 $V_o$를 꺼내는 소스 폴로어(전압-직렬 궤환) 회로입니다. FET를 전압원 $\mu v_{gs}$와 내부저항 $r_d$로 등가화하면 R과 직렬 회로가 됩니다.
궤환을 무시하면 $v_{gs}=V_s$이므로 $V_o=\mu V_s\cdot\dfrac{R}{r_d+R}$, 따라서 $A_V=\dfrac{\mu R}{r_d+R}$입니다.
$\dfrac{\mu R}{r_d+(1+\mu)R}$: 출력 전압이 게이트-소스 전압을 깎는 궤환을 반영한, 궤환이 있을 때의 이득입니다.
$\dfrac{r_d+(1+\mu)R}{r_d+R}$: 궤환율 $\beta=1$일 때의 이득 감소 비율 $1+\beta A_V$에 해당하는 식입니다.
$\dfrac{r_d}{1+\mu}$: 분자·분모가 저항과 무차원 수라 결과가 저항 차원입니다(소스 쪽에서 들여다본 FET 출력 저항, μ가 크면 약 $1/g_m$). 무차원인 전압이득이 될 수 없습니다.