화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD)… | [9급 서울시 기계일반] 18년 2회차 기출문제 상세 페이지

1[9급 서울시 기계일반] 18년 2회차
화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD)에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?
1
화학반응 또는 가스분해에 의해 가열된 기판 표면 위에 박막을 성장시키는 공정이다.
2
CVD는 인(P) 불순물이 섞인 이산화규소처럼 도핑된 SiO2의 층을 만드는 데 사용될 수 있다.
3
일반적으로 화학기상증착에 의해 생성된 실리콘 산화물 막의 밀도와 기판에 대한 접합성은 열산화에 의해 생성된 것보다 우수하다.
4
반도체 웨이퍼 공정에 이산화실리콘, 질화실리콘 및 실리콘 층을 추가하기 위해 널리 사용된다.
해설
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