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MOSFET을 이용한 다음 회로의 소신호 전압이득(Vo/Vi)으로 옳은… | [국회직 9급 전자공학개론] 16년 1회차 기출문제 상세 페이지

1[국회직 9급 전자공학개론] 16년 1회차
MOSFET을 이용한 다음 회로의 소신호 전압이득(Vo/Vi)으로 옳은 것은? (단, 전달컨덕턴스(gm)는 3[mS]이며, 출력저항(ro)과 CG, CD 및 RG는 매우 크다고 가정한다.)
문제 이미지
VDD
CD
VO
10㏀
RG
CG
Vi
20㏀
VBIAS
NMOS
1
-60
2
-30
3
-20
4
-10
5
-5
해설

공통 소스 증폭기의 전압이득은 드레인 쪽 교류 부하로 정해지며, 그 값은 -20이다.

커패시터는 교류에서 단락이므로 드레인 저항과 부하가 병렬로 보인다.

RL′=20 kΩ∥10 kΩ=203 kΩR_{L}'=20\,\mathrm{k\Omega}\parallel 10\,\mathrm{k\Omega}=\dfrac{20}{3}\,\mathrm{k\Omega}
Av=−gmRL′=−3 mS×203 kΩ=−20A_{v}=-g_{m}R_{L}'=-3\,\mathrm{mS}\times\dfrac{20}{3}\,\mathrm{k\Omega}=-20

  • -60: 부하를 빼고 드레인 저항만 넣은 값이다.
  • -30: 부하 저항만 넣고 드레인 저항을 뺀 값이다.

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