p형 반도체와 n형 반도체의 접합으로 만들어진 다이오드의 전압-전류 특… | [국회직 9급 전자공학개론] 16년 1회차 기출문제 상세 페이지
1[국회직 9급 전자공학개론] 16년 1회차
p형 반도체와 n형 반도체의 접합으로 만들어진 다이오드의 전압-전류 특성이 그림과 같을 때, 이 다이오드에 대한 설명으로 옳은 것은?
전류(I)
전압(V)
1
버랙터 다이오드로서 FM변조 회로에 사용된다.
2
제너 다이오드로서 정전압원에 사용된다.
3
핀 다이오드로서 고전압 회로에 사용된다.
4
발광 다이오드로서 광소자에 사용된다.
5
터널 다이오드로서 발진기 회로에 사용된다.
해설
이 특성은 터널 다이오드의 곡선이며, 터널 다이오드는 발진기 회로에 쓰인다.
순방향 전압을 높일 때 전류가 봉우리를 지난 뒤 오히려 줄어드는 부성저항 구간이 나타난다. 이 구간이 회로의 손실을 상쇄하므로 발진에 이용할 수 있다.
- FM변조용 버랙터 다이오드: 역바이어스에서 접합 용량이 변하는 성질을 쓰는 소자로, 이런 곡선을 보이지 않는다.
- 정전압용 제너 다이오드: 역방향 항복 구간의 일정한 전압을 쓰는데, 그림의 역방향 쪽에는 항복 특성이 없다.
- 핀 다이오드: 진성층을 끼운 구조의 소자로, 순방향에서 전류가 줄어드는 구간을 특징으로 하지 않는다.
- 발광 다이오드: 순방향 전류로 빛을 내는 광소자로, 그림과 같은 부성저항 구간이 없다.
오류나 개정된 내용이 보이면 알려주세요
