다음 NMOSFET 회로의 Vx=0.4[V]일 때 ID의 값[mA]은?… | [국회직 9급 전자공학개론] 20년 1회차 기출문제 상세 페이지

드레인 전류는 $I_{D}=0.5\,\mathrm{mA}$이다.
게이트와 드레인이 모두 $V_{DD}$에 연결되고 소스는 $V_{x}$이므로 다음과 같다.
$V_{GS}=V_{DS}=1.8-0.4=1.4\,\mathrm{V}$
$V_{GS}-V_{T}=1.0\,\mathrm{V}$
$V_{DS}\gt V_{GS}-V_{T}$이므로 포화영역이다. 소스와 기판이 연결되어 기판 효과는 없다.
$I_{D}=\dfrac{1}{2}\mu_{n}C_{OX}\dfrac{W}{L}(V_{GS}-V_{T})^{2}$
$I_{D}=\dfrac{1}{2}\times 1\times 1.0^{2}=0.5\,\mathrm{mA}$
0.7: $V_{GS}$에 $\dfrac{1}{2}$만 곱한 값으로, 문턱전압과 제곱이 빠졌다.
1: 포화 전류식의 계수 $\dfrac{1}{2}$를 빠뜨린 값이다.
1.4: 제곱과 문턱전압을 고려하지 않고 $V_{GS}$를 그대로 쓴 값이다.
2: 계수 $\dfrac{1}{2}$ 대신 2를 곱한 값이다.