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1[국회직 9급 전자공학개론] 22년 1회차

다음 회로의 트랜지스터 구성에서  ${\mathbf{V_{CE}}}$ 에 따른  ${\mathbf{I_{C}}}$ 의 변화에 대한 설명으로 옳은 것은? (단,  ${\mathbf{V_{BE} > 0.7 V}}$ )

 $I_{C}$ 는  $V_{CE}$ 와 관계없이 항상 일정하다.

포화영역에서는  $V_{CE}$ 가 증가할수록  $I_{C}$ 는 감소하게 된다.

Early effect때문에  $V_{CE}$ 가 증가할수록  $I_{C}$ 는 감소하게 된다.

 $V_{CE}$ 가 감소함에 따라  $V_{CB} < 0$ 이 되면  $I_{C}$ 가 빠르게 증가하게 된다.

 $V_{CE}$ 가 감소함에 따라 콜렉터-베이스 접합이 순방향이 되면  $I_{C}$ 가 감소하게 된다.

해설

옳은 설명은 콜렉터-베이스 접합이 순방향이 되면  $I_{C}$ 가 감소한다는 내용이다.
 $V_{CE}$ 가 줄어  $V_{CB} \lt 0$ 이 되면 트랜지스터는 활성영역을 벗어나 포화영역에 들어간다.
순방향이 된 콜렉터-베이스 접합이 콜렉터 쪽 캐리어 수집을 방해하므로  $V_{CE}$ 가 작아질수록  $I_{C}$ 가 줄어든다.
 $I_{C}$ 가 항상 일정하다는 설명: 포화영역과 Early 효과 때문에  $V_{CE}$ 의 영향을 받는다.
포화영역에서  $V_{CE}$  증가에 따라  $I_{C}$ 가 감소한다는 설명: 포화영역에서는  $V_{CE}$ 가 커질수록  $I_{C}$ 가 증가한다.
Early 효과로  $I_{C}$ 가 감소한다는 설명: 베이스 폭이 좁아져  $I_{C}$ 는 오히려 증가한다.
 $V_{CB} \lt 0$ 에서  $I_{C}$ 가 빠르게 증가한다는 설명: 이 조건은 포화 진입이므로 전류가 감소한다.

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