그림은 저마늄(Ge)에 비소(As)가 도핑된 물질의 구조를 나타낸 모형… | [9급 지방직 고졸경채 물리] 21년 1회차 기출문제 상세 페이지
1[9급 지방직 고졸경채 물리] 21년 1회차
그림은 저마늄(Ge)에 비소(As)가 도핑된 물질의 구조를 나타낸 모형이다. 이에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1
n형 반도체이다.
2
원자가 전자가 비소는 5개, 저마늄은 4개이다.
3
전압을 걸어 줄 경우 주된 전하 나르개는 양공이다.
4
도핑으로 전도띠 바로 아래에 새로운 에너지 준위가 생긴다.
해설
주된 전하 나르개가 양공이라는 설명이 옳지 않다. 비소가 도핑된 저마늄은 n형 반도체이며 주된 전하 나르개는 전자이다.
원자가 전자 5개인 비소가 원자가 전자 4개인 저마늄과 공유 결합하고 남는 전자 1개가 자유 전자가 되어 전류를 나른다.
- n형 반도체: 5족 원소를 도핑했으므로 옳다.
- 원자가 전자 수: 비소 5개, 저마늄 4개로 옳다.
- 새 에너지 준위: 도핑으로 전도띠 바로 아래에 주개(도너) 준위가 생기므로 옳다.
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