그림 (가)는 실리콘(Si)만으로 구성된 순수한 반도체에 각각 인(P)… | [9급 지방직 고졸경채 물리] 23년 1회차 기출문제 상세 페이지
1[9급 지방직 고졸경채 물리] 23년 1회차
그림 (가)는 실리콘(Si)만으로 구성된 순수한 반도체에 각각 인(P)과 붕소(B)를 도핑한 불순물 반도체 I과 II를, (나)는 p－n 접합 다이오드, 저항, 전지, 스위치로 구성한 회로를 나타낸 것이다. 스위치를 닫으면 저항에 전류가 흐른다. X와 Y는 각각 (가)의 반도체 I과 II 중 하나이다. 이에 대한 설명으로 옳은 것은?
1
인의 원자가 전자는 3개이다.
2
(가)에서 반도체 II는 p형 반도체이다.
3
(나)에서 X는 반도체 I이다.
4
(나)에서 스위치를 닫으면 n형 반도체에서 전자는 접합면으로부터 멀어진다.
해설
붕소를 도핑한 반도체 II는 p형 반도체이다.
붕소는 원자가 전자가 3개라 공유 결합에 전자 하나가 모자라 양공이 생기므로 p형이고, 원자가 전자가 5개인 인을 도핑한 반도체 I은 남는 전자가 생기는 n형이다.
- 인의 원자가 전자가 3개라는 설명: 인은 원자가 전자가 5개이다.
- X가 반도체 I이라는 설명: 스위치를 닫으면 전류가 흐르므로 순방향 연결이고, X는 전지의 (+)극 쪽에 연결되어 있으므로 p형인 반도체 II이다.
- n형에서 전자가 접합면으로부터 멀어진다는 설명: 순방향 연결에서는 n형의 전자가 접합면 쪽으로 이동해 양공과 결합한다.
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