다음 MOSFET 회로가 포화영역에서 동작하고 있다고 할 때, 저항값 … | [7급 국가직 전자회로] 21년 1회차 기출문제 상세 페이지

게이트가 입력 단자에 묶인 구조로, 입력저항은 $\dfrac{r_{ds}+R_d}{1+g_m r_{ds}}$이다.
입력에 전압 $V$를 걸면 $v_{gs}=V$, 드레인 전압 $V_D=V-IR_d$이다.
드레인 전류: $I=g_mV+\dfrac{V-IR_d}{r_{ds}}$
정리: $I\left(1+\dfrac{R_d}{r_{ds}}\right)=V\left(g_m+\dfrac{1}{r_{ds}}\right)$ 이므로 $R_{in}=\dfrac{r_{ds}+R_d}{1+g_m r_{ds}}$이다. $R_d=0$이면 다이오드 연결의 $\frac{1}{g_m}\parallel r_{ds}$로 돌아간다.
$(1+g_m r_{ds})R_d$ — 소스 저항 궤환에서의 출력저항 증가식과 혼동한 것이다.
$\frac{1+g_mR_d}{g_mR_d}r_{ds}$ — 차원은 맞으나 회로 방정식에서 나오지 않는다.
$\frac{1}{g_m}+\frac{R_d}{1+g_m r_{ds}}$ — 공통 게이트 입력저항 형태로, 게이트가 입력에 묶인 이 회로와 다르다.