반도체 소자의 전류 흐름에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? | [7급 국가직 전자회로] 24년 1회차 기출문제 상세 페이지
1[7급 국가직 전자회로] 24년 1회차
반도체 소자의 전류 흐름에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1
순방향 바이어스에서 동작하는 다이오드는 주로 확산(diffusion) 현상에 의해서 전류가 흐른다.
2
선형 영역에서 동작하는 MOS 트랜지스터는 주로 채널영역의 확산 현상에 의해서 전류가 흐른다.
3
역방향 바이어스에서 동작하는 다이오드는 공핍층을 지나는 열생성 소수 캐리어(minority carrier)의 움직임에 의한 전류가 흐른다.
4
순방향 활성(active) 영역에서 동작하는 바이폴라접합트랜지스터의 베이스 영역에서 소수 캐리어가 움직이는 것은 주로 확산 현상에 의한 것이다.
해설
선형(트라이오드) 영역의 MOS 트랜지스터 전류는 확산이 아니라 드리프트(drift)에 의해 흐르므로, 확산이 주된 기구라는 설명이 옳지 않다.
선형 영역에서는 반전층 채널이 소스부터 드레인까지 형성되고, 드레인－소스 전압이 만드는 수평 전계가 채널 캐리어를 끌어 전류가 흐른다. 확산 전류가 지배적인 것은 문턱 이하(subthreshold) 영역이다.
- 순방향 바이어스 다이오드: 전위장벽이 낮아져 캐리어가 상대 영역으로 주입되고, 농도 기울기에 의한 확산 전류가 주를 이루므로 옳다.
- 역방향 바이어스 다이오드: 공핍층 부근에서 열생성된 소수 캐리어가 공핍층 전계에 실려 흐르는 작은 역포화 전류가 생기므로 옳다.
- 순방향 활성 영역 BJT: 이미터에서 주입된 소수 캐리어가 얇은 베이스를 농도 기울기에 따라 확산으로 건너 컬렉터에 도달하므로 옳다.
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