다음 전력용 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, 소스… | [9급 국가직 전자공학개론] 26년 1회차 기출문제 상세 페이지
1[9급 국가직 전자공학개론] 26년 1회차
다음 전력용 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, 소스－드레인 사이의 PN 다이오드는 제조공정에서 만들어지는 내장된 내부 다이오드이다)
1
턴오프 상태일 때는 내부 다이오드로 전류가 흐를 수 없다.
2
드레인(D), 소스(S), 게이트(G)의 3단자로 이루어진 반도체 스위칭 소자이다.
3
내부 다이오드의 역회복시간(reverse recovery time)이 상대적으로 느리기 때문에 고속 스위칭 회로에는 외부에 고속 다이오드를 추가한다.
4
게이트－소스 전압 에 문턱전압(threshold voltage)보다 큰 양의 전압을 인가하면 드레인과 소스 사이는 턴온 상태로 전류 가 흐르게 된다.
해설
옳지 않은 것은 턴오프 상태에서 내부 다이오드로 전류가 흐를 수 없다는 설명이다.
내부(바디) 다이오드는 소스 쪽이 애노드, 드레인 쪽이 캐소드로 채널과 병렬로 붙어 있다. 채널이 꺼져 있어도 소스 전위가 드레인보다 높아지면 이 다이오드가 순방향이 되어 소스→드레인 방향 전류가 흐른다(유도성 부하의 환류 경로).
- 전력용 MOSFET은 드레인·소스·게이트 3단자로 된 전압 구동형 반도체 스위칭 소자이다.
- 바디 다이오드는 역회복시간이 비교적 길어, 고속 스위칭 회로에서는 외부에 고속 다이오드를 따로 붙인다.
- n채널 소자에서 가 문턱전압보다 크면 채널이 형성되어 턴온되고 가 흐른다.
내용에 오류가 있거나 최신 법령·기준과 다른 부분이 보이면 알려주세요. 확인 후 반영하겠습니다.