다음 증폭기 회로의 전압이득 \left|\dfrac{V_{out}}{V… | [9급 국가직 전자공학개론] 26년 1회차 기출문제 상세 페이지

1[9급 국가직 전자공학개론] 26년 1회차

다음 증폭기 회로의 전압이득  $\left|\dfrac{V_{out}}{V_{in}}\right|$ 에 비례하는 것으로 옳은 것만을 모두 고르면? (단,  $I_{\mathrm{B}}$ 는 이상적인 정전류원이고  $C=\infty$ , BJT  $Q_1$ 은 활성영역에서 동작한다)

ㄱ. 저항  $R$ 
ㄴ.  $Q_1$ 의 이미터 면적
ㄷ. 바이어스 전류  $I_{\mathrm{B}}$ 
ㄹ. 바이어스 전압  $V_{CC}$

ㄱ, ㄴ

ㄱ, ㄷ

ㄴ, ㄹ

ㄷ, ㄹ

해설

전압이득에 비례하는 것은 저항  $R$ 과 바이어스 전류  $I_{\mathrm{B}}$ 이다.
이미터가  $C=\infty$ 로 교류 접지된 공통 이미터 증폭기이므로  $\left|A_v\right|=g_mR$ 이다. 정전류원이 컬렉터 전류를 정하므로  $I_C\approx I_{\mathrm{B}}$ 이고  $g_m=\dfrac{I_C}{V_T}$ 이다.
 $\left|A_v\right|=\dfrac{I_{\mathrm{B}}}{V_T}R$  →  $R$ 와  $I_{\mathrm{B}}$ 에 각각 비례한다.
이미터 면적은 포화전류를 바꿀 뿐, 전류가 정전류원으로 고정되어 있어  $g_m$ 은 변하지 않는다.
바이어스 전압  $V_{CC}$ 는 활성영역 유지 여부에만 관여하고 소신호 이득 식에는 나타나지 않는다.

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