반도체에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? | [9급 지방직 공업화학] 26년 1회차 기출문제 상세 페이지
1[9급 지방직 공업화학] 26년 1회차
반도체에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1
밴드갭보다 큰 에너지를 받으면 전기 전도도가 증가한다.
2
순수한 실리콘에 비소(As)를 도핑하면 p－형 반도체가 된다.
3
실리콘 고유반도체에 갈륨(Ga)을 도핑하면 전기 전도도가 증가한다.
4
p－n접합은 교류 전류를 직류 전류로 바꾸는 정류기로 활용 가능하다.
해설
옳지 않은 설명은 실리콘에 비소를 도핑하면 p형이 된다는 것으로, 비소 도핑은 n형 반도체를 만든다.
비소는 15족(최외각 전자 5개)이라 실리콘 자리에 들어가면 여분의 전자를 내놓는 주개(donor)가 되어 n형이 된다. p형은 붕소·갈륨 같은 13족을 도핑해 만든다.
- 밴드갭보다 큰 에너지를 받으면 전도도 증가: 전자가 전도띠로 들뜨므로 옳다.
- 갈륨 도핑 시 전도도 증가: 13족 받개가 정공을 만들어 운반자가 늘어나므로 옳다.
- p-n 접합의 정류기 활용: 한 방향으로만 전류가 잘 흐르므로 교류를 직류로 바꾸는 데 쓰인다.
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