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1[9급 지방직 기계일반] 20년 1회차
반도체 제조공정에서 기판 표면에 코팅된 양성 포토레지스트(Positive photoresist)에 마스크(Mask)를 이용하여 노광공정(Exposing)을 수행한 후, 자외선이 조사된 영역의 포토레지스트만 선택적으로 제거하는 공정은?
1
현상(Developing)
2
식각(Etching)
3
에싱(Ashing)
4
스트립핑(Stripping)
해설
노광 후 자외선이 조사된 영역의 양성 포토레지스트만 녹여 제거하는 공정은 현상(Developing)이다.
양성 포토레지스트는 빛을 받은 부분이 현상액에 잘 녹게 변하므로, 현상하면 노광된 부분이 제거되고 마스크 패턴이 레지스트에 옮겨진다.
- 식각(Etching): 현상 후 남은 레지스트를 보호막으로 삼아 드러난 기판·박막을 깎아내는 공정이다.
- 에싱(Ashing): 플라즈마 등으로 남은 포토레지스트를 태워 제거하는 공정이다.
- 스트립핑(Stripping): 식각 후 남은 포토레지스트 전체를 벗겨내는 공정이다.
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