실리콘(Si) 단결정의 제조 방법으로 옳지 않은 것은? | [9급 지방직 공업화학] 16년 1회차 기출문제 상세 페이지
1[9급 지방직 공업화학] 16년 1회차
실리콘(Si) 단결정의 제조 방법으로 옳지 않은 것은?
1
플롯존(float zone)법
2
초크랄스키(Czochralski)법
3
냉각도가니(cold crucible)법
4
화학기상증착(chemical vapor deposition)법
해설
화학기상증착(CVD)법은 실리콘 단결정 잉곳을 만드는 방법이 아니다.
CVD는 기체 원료를 분해·반응시켜 기판 위에 박막(또는 다결정 실리콘)을 쌓는 증착 공정으로, 용융 실리콘에서 단결정을 키우는 성장법과 다르다.
- 플롯존법은 다결정 막대를 국부적으로 녹인 용융대를 이동시켜 도가니 없이 고순도 단결정을 얻는다.
- 초크랄스키법은 도가니 속 용융 실리콘에 종자결정을 담가 회전시키며 끌어올려 단결정을 성장시킨다.
- 냉각도가니법은 수냉 도가니와 유도가열로 실리콘을 녹여 도가니 오염을 줄이며 결정을 얻는 용융 성장법이다.
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