공통이미터(common emitter)회로에 사용되는 실리콘(Si) 확… | [9급 국가직 전자공학개론] 08년 1회차 기출문제 상세 페이지
1[9급 국가직 전자공학개론] 08년 1회차
공통이미터(common emitter)회로에 사용되는 실리콘(Si) 확산형 npn BJT(bipolar junction transistor)의 동작에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
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차단영역(cutoff region)은 베이스 － 이미터 접합과 베이스 - 컬렉터 접합이 모두 역방향 바이어스 상태이며, 베이스 전류 및 컬렉터 전류가 거의 흐르지 않는 영역을 말한다.
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활성영역(active region)은 선형증폭기로 동작할 때 중요한 영역으로, 최대전류이득을 얻기 위해서는 베이스－이미터 접합은 역방향 바이어스, 베이스 － 컬렉터 접합은 순방향 바이어스를 걸어 주는 영역을 말한다.
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포화영역(saturation region)은 베이스 － 이미터 접합과 베이스 － 컬렉터 접합이 모두 순방향 바이어스 상태이며, 스위치로 동작할 때 중요한 영역이다.
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베이스 － 이미터 간 전압 VBE와 베이스 전류 IB의 특성은 pn 다이오드의 전압－전류 특성과 유사하다.
해설
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