MOS 트랜지스터에서 Gate와 Source간의 전압차(VGS), 온도… | [9급 국가직 전자공학개론] 11년 1회차 기출문제 상세 페이지
1[9급 국가직 전자공학개론] 11년 1회차
MOS 트랜지스터에서 Gate와 Source간의 전압차(VGS), 온도 등 모든 조건을 일정하게 유지하고 트랜지스터의 채널 length만 2배 크게 하였을 때, 트랜지스터에 흐르는 전류 절대량 |IDS|의 변화 로서 옳은 것은? (단, channel length modulation 효과는 무시하며, MOS 트랜지스터는 차단영역에 있지 않다고 가정한다)
1
P형 MOS는 증가하고, N형 MOS도 증가한다.
2
P형 MOS는 감소하고, N형 MOS도 감소한다.
3
P형 MOS는 감소하고, N형 MOS는 증가한다.
4
변하지 않는다.
해설
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