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1[9급 국가직 전자공학개론] 14년 1회차

㉠, ㉡에 들어갈 용어가 바르게 연결된 것은? (순서대로 ㉠, ㉡)
N 채널 증가형 MOSFET는 ( ㉠ )에서 동작하기위해서 채널이 드레인 끝에서 핀치오프(pinch-off) 되어야 한다. 즉, 드레인 전압이 게이트 전압 아래로 문턱전압(threshold voltage) V_tn보다 더 떨어지지 않아야 한다.
P 채널 증가형 MOSFET는 ( ㉡ )에서 동작하기 위해서 드레인 전압이 게이트 전압보다 적어도 문턱전압 |V_tp|만큼 초과해야 한다.

포화영역(saturation region), 트라이오드 영역(triode region)

포화영역(saturation region), 포화영역(saturation region)

트라이오드영역(triode region), 트라이오드 영역(triode region)

트라이오드영역(triode region), 포화영역(saturation region)

해설

㉠은 포화영역, ㉡은 트라이오드 영역이다.
NMOS는  $V_{DS}\ge V_{GS}-V_{tn}$ , 즉  $V_D\ge V_G-V_{tn}$ 이면 드레인 끝에서 채널이 핀치오프되어 포화영역이다.
PMOS는  $V_{SD}\lt V_{SG}-|V_{tp}|$ , 즉  $V_D\gt V_G+|V_{tp}|$ 일 때 채널이 드레인까지 이어진 트라이오드 영역이다. 드레인이 게이트보다 | $\mathrm{V}_{tp}$ | 이상 높다는 조건이 이에 해당한다.

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