실리콘 기반의 N채널 증가형 MOSFET 구동 시에 더 많은 드레인 전… | [9급 국가직 전자공학개론] 17년 1회차 기출문제 상세 페이지

게이트 산화막을 얇게 하면 산화막 정전용량이 커져 드레인 전류가 증가한다.
포화영역 전류: $I_D=\dfrac{1}{2}\mu_n C_{ox}\dfrac{W}{L}(V_{GS}-V_{th})^2$, $C_{ox}=\dfrac{\varepsilon_{ox}}{t_{ox}}$
즉 전류는 이동도·$\mathrm{C}_{ox}$·W/L에 비례한다.
소스–드레인 간격(채널 길이 L)을 길게 하면 W/L이 작아져 전류가 줄어든다.
유전율이 낮은 산화막은 $\mathrm{C}_{ox}$를 줄여 전류가 줄어든다.
전자 이동도가 낮은 물질로 바꾸면 $\mu _{n}$이 작아져 전류가 줄어든다.