다음 증가형(enhancement) MOSFET이 포화영역에서 동작할 … | [9급 국가직 전자공학개론] 19년 1회차 기출문제 상세 페이지
1[9급 국가직 전자공학개론] 19년 1회차
다음 증가형(enhancement) MOSFET이 포화영역에서 동작할 때, 이에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1
n채널이 만들어지는 NMOS 트랜지스터이다.
2
게이트는 소스보다 높은 전위를 가진다.
3
전자가 드레인에서 소스로 흘러 전류가 발생한다.
4
드레인은 소스보다 높은 전위를 가진다.
해설
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