전력용 반도체 소자 중 IGBT(Insulated Gate Bipola… | [9급 국가직 전기기기] 19년 1회차 기출문제 상세 페이지

IGBT는 게이트 전류가 아니라 게이트 전압으로 제어되는 전압제어형 소자이므로 게이트 전류에 의한 전류제어형이라는 설명이 옳지 않다.
입력부는 MOSFET처럼 절연 게이트 구조라 게이트 전류가 거의 흐르지 않고, 출력부는 BJT처럼 전도도 변조로 낮은 도통 손실을 얻는다.
컬렉터 측 $\mathrm{P}^{+}$층 위에 N, P, N층이 쌓인 PNPN 4층 구조로 만들어진다.
MOSFET의 쉬운 게이트 구동과 BJT의 대전류 처리 능력을 함께 가진 고전압 대전류용 소자이다.
확실한 턴 온과 턴 오프를 위해 게이트에 정(+), 부(-) 전압을 인가하는 구동 회로를 쓴다.