[9급 서울시 전자공학개론] 15년 1회차 기출문제 정답·해설 페이지

균질한 저항을 갖는 원통형 도선의 길이를 늘여 원래 길이의 4배가 되는 원통형 도선을 만들었다. 도선의 전체 체적은 변하지 않는다고 가정할 때, 늘어난 도선의 저항값은 원래 도선의 저항값의 몇 배가 되겠는가?

16배

12배

8배

4배

교류전압 $v(t)=V_m\sin\omega t$ [V]에 대한 다음의 설명 중 옳지 않은 것은?

이 전압을 1[Ω]의 저항에 인가할 때 전류의 최대값은 $V_m$이다.

이 전압의 한 주기 평균값은 0[V]이다.

이 전압의 실효값은 $\frac{V_m}{2}$이다.

이 전압을 1[Ω]의 저항에 인가할 때 전력 소모의 평균값은 $\frac{V_m^2}{2}$이다.

다음과 같이 구성된 회로가 있다. 제너다이오드 $D_1$, $D_3$의 항복전압은 6[V]이고, 일반다이오드 $D_2$의 문턱 전압은 0.7[V]일 경우 $V_{\mathrm{out1}}$과 $V_{\mathrm{out2}}$는 얼마인가? (단, 다이오드의 내부저항은 무시한다.)

$V_{\mathrm{out1}}=6.7$[V], $V_{\mathrm{out2}}=6$[V]

$V_{\mathrm{out1}}=12$[V], $V_{\mathrm{out2}}=6$[V]

$V_{\mathrm{out1}}=12.7$[V], $V_{\mathrm{out2}}=6.7$[V]

$V_{\mathrm{out1}}=20$[V], $V_{\mathrm{out2}}=6.7$[V]

반도체 내에서 캐리어(carrier)의 이동도(mobility) $\mu$와 확산계수 $D$ 사이의 관계를 나타낸 것 중 옳은 것은? (단, $k$는 볼츠만(Boltzmann)상수, $T$는 절대 온도, $q$는 캐리어의 전하이다.)

$\frac{D}{\mu}=\frac{kT}{q}$

$\sqrt{\frac{D}{\mu}}=\frac{kT}{q}$

$\frac{D}{\mu}=\sqrt{\frac{kT}{q}}$

$\frac{\mu}{D}=\frac{kT}{q}$

다음의 회로에서 입력전원 $v_{\mathrm{in}}(t)=5\sin 400t$ [V]가 인가되었을 때의 역률(power factor)은? (단, $R=25$ [kΩ], $C=0.1$ [μF]이다.)

0.5

1

$\frac{1}{\sqrt{3}}$

$\frac{1}{\sqrt{2}}$

FET증폭기가 60[%] 효율을 가진다고 가정할 때, 전력 출력이 6.4[W]라면, 직류 드레인 입력전력은 약 얼마인가?

3.8[W]

9.4[W]

10.7[W]

13.8[W]

10진수 40의 2의 보수를 2진수로 옳게 나타낸 것은?

101000(2)

011000(2)

010111(2)

101001(2)

다음 신호 흐름도에서 이득 $\frac{Y}{R}$는?

$\frac{Y}{R}=\frac{abcd}{1+be+cf+dg}$

$\frac{Y}{R}=\frac{abcd}{1+be+cf+dg-bdeg}$

$\frac{Y}{R}=\frac{abcd}{1-be-cf-dg+bdeg}$

$\frac{Y}{R}=\frac{abcd}{1+be+cf+dg+bdeg}$

다음 회로에서 이미터 저항 $R_E$에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

입력저항에 영향을 준다.

동작점이 안정된다.

$R_E$가 클수록 컬렉터 전류는 증가한다.

전압이득이 감소한다.

다음 중 이상적인 연산 증폭기의 조건이 아닌 것은?

출력저항 RO=∞이다.

입력저항 Ri=∞이다.

대역폭 BW=∞이다.

전압이득 Av=∞이다.

자속밀도가 $B$[wb/m2]인 자계 내에서 $i$[A]의 전류가 흐르고 있는 길이 $l$[m]의 직선 도체를 자계의 방향으로 $\theta$[°]의 각을 갖도록 놓았을 때, 이 도체에 작용하는 힘으로 옳은 것은?

$Bli\sin\theta$

$\frac{Bi}{l}\sin\theta$

$Bli\cos\theta$

$\frac{Bi}{l}\cos\theta$

다음 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, $v_i$는 입력 전압이고, $v_O$는 출력 전압이다.)

전압 이득은 1에 가깝다.

출력신호와 입력신호는 위상이 같다.

부하 저항이 변화해도 전류·전압·전력 이득은 일정하다.

높은 임피던스를 갖는 부하저항과 정합(matching)에 자주 사용한다.

다음 회로에서 전류 $i$는 몇 [A]인가?

3[A]

4[A]

6[A]

8[A]

다음 $R-L-C$ 직렬회로에서 $t=0$인 경우 스위치가 닫힌다. 그때 전류 $i(t)$의 응답이 임계제동(critical damping)이 되기 위한 저항 $R$의 값으로 옳은 것은? (단, $v_c(0)=1$ [mV], $i(0)=0$[A]이고, $L=100$ [mH], $C=10$[μF]이다.)

50[Ω]

100[Ω]

150[Ω]

200[Ω]

다음 그림의 연산 증폭기에서 $V_1$=1[V], $V_2$=2[V], $V_3$=3[V]일 때, 출력 $V_O$는?

4[V]

5[V]

6[V]

7[V]

$I_{IL}=-0.1$[mA], $I_{IH}=10$[μA], $I_{OL}=5$[mA], $I_{OH}=-400$[μA]인 74계열 IC 칩의 fan out은? (단, 여기서 $I_{IL}$은 LOW 레벨로 인식하는 최소 입력 전류, $I_{IH}$는 HIGH 레벨로 인식하는 최대 입력 전류, $I_{OL}$은 LOW 레벨의 최소 출력 전류, $I_{OH}$는 HIGH 레벨의 최대 출력 전류를 의미한다.)

10

40

50

80

다음의 트랜지스터 전압분배 바이어스 회로에서 전압 $V_{CE}$의 값으로 옳은 것은? (단, $R_1$=10[kΩ], $R_2$=2[kΩ], $R_C$=4[kΩ], $R_E$=1[kΩ], $V_{CC}$=12[V], $V_{BE}$=0.7[V], $I_C=I_E$)

3.5[V]

5.5[V]

7.5[V]

9.5[V]

다음 중 PN 접합 다이오드의 특성으로 옳지 않은 것은?

P형 반도체의 다수 캐리어는 정공이다.

순방향 바이어스를 걸어주면 전위장벽이 높아진다.

역방향 바이어스를 걸어주면 공핍층이 넓어진다.

N형 반도체는 Si에 불순물인 5족 원소(예 : P, As)를 첨가하여 만든다.

다음 회로에서 최대전력을 $R_L$에 전달하기 위한 $R_L$의 값과 그 때 $R_L$에 전달되는 최대전력 $P_L$의 값으로 옳은 것은?

$R_L$=4[kΩ]일 때, $P_L$=4[mW]

$R_L$=4[kΩ]일 때, $P_L$=5[mW]

$R_L$=5[kΩ]일 때, $P_L$=4[mW]

$R_L$=5[kΩ]일 때, $P_L$=5[mW]

다음 논리회로의 기능으로 옳은 것은?

XOR(Exclusive−OR)

XNOR(Exclusive−NOR)

OR

AND