[9급 서울시 전자공학개론] 15년 1회차
9급 서울시 전자공학개론 기출문제

15년 1회차

총 20문항 · 객관식 · A4 약 1장

1 / 1
A4정답 포함
9급 서울시 전자공학개론 기출문제모두CBT · moducbt.com

15년 1회차

총 20문항 · 객관식 · 정답·해설 포함
문제 1
균질한 저항을 갖는 원통형 도선의 길이를 늘여 원래 길이의 4배가 되는 원통형 도선을 만들었다. 도선의 전체 체적은 변하지 않는다고 가정할 때, 늘어난 도선의 저항값은 원래 도선의 저항값의 몇 배가 되겠는가?
116배
212배
38배
44배
문제 2
교류전압 v(t)=Vmsin⁡ωtv(t)=V_m\sin\omega t [V]에 대한 다음의 설명 중 옳지 않은 것은?
1이 전압을 1[Ω]의 저항에 인가할 때 전류의 최대값은 VmV_m이다.
2이 전압의 한 주기 평균값은 0[V]이다.
3이 전압의 실효값은 Vm2\frac{V_m}{2}이다.
4이 전압을 1[Ω]의 저항에 인가할 때 전력 소모의 평균값은 Vm22\frac{V_m^2}{2}이다.
문제 3
다음과 같이 구성된 회로가 있다. 제너다이오드 D1D_1, D3D_3의 항복전압은 6[V]이고, 일반다이오드 D2D_2의 문턱 전압은 0.7[V]일 경우 Vout1V_{\mathrm{out1}}과 Vout2V_{\mathrm{out2}}는 얼마인가? (단, 다이오드의 내부저항은 무시한다.)

1Vout1=6.7V_{\mathrm{out1}}=6.7[V], Vout2=6V_{\mathrm{out2}}=6[V]
2Vout1=12V_{\mathrm{out1}}=12[V], Vout2=6V_{\mathrm{out2}}=6[V]
3Vout1=12.7V_{\mathrm{out1}}=12.7[V], Vout2=6.7V_{\mathrm{out2}}=6.7[V]
4Vout1=20V_{\mathrm{out1}}=20[V], Vout2=6.7V_{\mathrm{out2}}=6.7[V]
문제 4
반도체 내에서 캐리어(carrier)의 이동도(mobility) μ\mu와 확산계수 DD 사이의 관계를 나타낸 것 중 옳은 것은? (단, kk는 볼츠만(Boltzmann)상수, TT는 절대 온도, qq는 캐리어의 전하이다.)
1Dμ=kTq\frac{D}{\mu}=\frac{kT}{q}
2Dμ=kTq\sqrt{\frac{D}{\mu}}=\frac{kT}{q}
3Dμ=kTq\frac{D}{\mu}=\sqrt{\frac{kT}{q}}
4μD=kTq\frac{\mu}{D}=\frac{kT}{q}
문제 5
다음의 회로에서 입력전원 vin(t)=5sin⁡400tv_{\mathrm{in}}(t)=5\sin 400t [V]가 인가되었을 때의 역률(power factor)은? (단, R=25R=25 [kΩ], C=0.1C=0.1 [μF]이다.)

10.5
21
313\frac{1}{\sqrt{3}}
412\frac{1}{\sqrt{2}}
문제 6
FET증폭기가 60[%] 효율을 가진다고 가정할 때, 전력 출력이 6.4[W]라면, 직류 드레인 입력전력은 약 얼마인가?
13.8[W]
29.4[W]
310.7[W]
413.8[W]
문제 7
10진수 40의 2의 보수를 2진수로 옳게 나타낸 것은?
1101000(2)
2011000(2)
3010111(2)
4101001(2)
문제 8
다음 신호 흐름도에서 이득 YR\frac{Y}{R}는?

1YR=abcd1+be+cf+dg\frac{Y}{R}=\frac{abcd}{1+be+cf+dg}
2YR=abcd1+be+cf+dg−bdeg\frac{Y}{R}=\frac{abcd}{1+be+cf+dg-bdeg}
3YR=abcd1−be−cf−dg+bdeg\frac{Y}{R}=\frac{abcd}{1-be-cf-dg+bdeg}
4YR=abcd1+be+cf+dg+bdeg\frac{Y}{R}=\frac{abcd}{1+be+cf+dg+bdeg}
문제 9
다음 회로에서 이미터 저항 RER_E에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

1입력저항에 영향을 준다.
2동작점이 안정된다.
3RER_E가 클수록 컬렉터 전류는 증가한다.
4전압이득이 감소한다.
문제 10
다음 중 이상적인 연산 증폭기의 조건이 아닌 것은?
1출력저항 RO=∞이다.
2입력저항 Ri=∞이다.
3대역폭 BW=∞이다.
4전압이득 Av=∞이다.
문제 11
자속밀도가 BB[wb/m2]인 자계 내에서 ii[A]의 전류가 흐르고 있는 길이 ll[m]의 직선 도체를 자계의 방향으로 θ\theta[°]의 각을 갖도록 놓았을 때, 이 도체에 작용하는 힘으로 옳은 것은?
1Blisin⁡θBli\sin\theta
2Bilsin⁡θ\frac{Bi}{l}\sin\theta
3Blicos⁡θBli\cos\theta
4Bilcos⁡θ\frac{Bi}{l}\cos\theta
문제 12
다음 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, viv_i는 입력 전압이고, vOv_O는 출력 전압이다.)

1전압 이득은 1에 가깝다.
2출력신호와 입력신호는 위상이 같다.
3부하 저항이 변화해도 전류·전압·전력 이득은 일정하다.
4높은 임피던스를 갖는 부하저항과 정합(matching)에 자주 사용한다.
문제 13
다음 회로에서 전류 ii는 몇 [A]인가?

13[A]
24[A]
36[A]
48[A]
문제 14
다음 R−L−CR-L-C 직렬회로에서 t=0t=0인 경우 스위치가 닫힌다. 그때 전류 i(t)i(t)의 응답이 임계제동(critical damping)이 되기 위한 저항 RR의 값으로 옳은 것은? (단, vc(0)=1v_c(0)=1 [mV], i(0)=0i(0)=0[A]이고, L=100L=100 [mH], C=10C=10[μF]이다.)

150[Ω]
2100[Ω]
3150[Ω]
4200[Ω]
문제 15
다음 그림의 연산 증폭기에서 V1V_1=1[V], V2V_2=2[V], V3V_3=3[V]일 때, 출력 VOV_O는?

14[V]
25[V]
36[V]
47[V]
문제 16
IIL=−0.1I_{IL}=-0.1[mA], IIH=10I_{IH}=10[μA], IOL=5I_{OL}=5[mA], IOH=−400I_{OH}=-400[μA]인 74계열 IC 칩의 fan out은? (단, 여기서 IILI_{IL}은 LOW 레벨로 인식하는 최소 입력 전류, IIHI_{IH}는 HIGH 레벨로 인식하는 최대 입력 전류, IOLI_{OL}은 LOW 레벨의 최소 출력 전류, IOHI_{OH}는 HIGH 레벨의 최대 출력 전류를 의미한다.)
110
240
350
480
문제 17
다음의 트랜지스터 전압분배 바이어스 회로에서 전압 VCEV_{CE}의 값으로 옳은 것은? (단, R1R_1=10[kΩ], R2R_2=2[kΩ], RCR_C=4[kΩ], RER_E=1[kΩ], VCCV_{CC}=12[V], VBEV_{BE}=0.7[V], IC=IEI_C=I_E)

13.5[V]
25.5[V]
37.5[V]
49.5[V]
문제 18
다음 중 PN 접합 다이오드의 특성으로 옳지 않은 것은?
1P형 반도체의 다수 캐리어는 정공이다.
2순방향 바이어스를 걸어주면 전위장벽이 높아진다.
3역방향 바이어스를 걸어주면 공핍층이 넓어진다.
4N형 반도체는 Si에 불순물인 5족 원소(예 : P, As)를 첨가하여 만든다.
문제 19
다음 회로에서 최대전력을 RLR_L에 전달하기 위한 RLR_L의 값과 그 때 RLR_L에 전달되는 최대전력 PLP_L의 값으로 옳은 것은?

1RLR_L=4[kΩ]일 때, PLP_L=4[mW]
2RLR_L=4[kΩ]일 때, PLP_L=5[mW]
3RLR_L=5[kΩ]일 때, PLP_L=4[mW]
4RLR_L=5[kΩ]일 때, PLP_L=5[mW]
문제 20
다음 논리회로의 기능으로 옳은 것은?

1XOR(Exclusive−OR)
2XNOR(Exclusive−NOR)
3OR
4AND
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15년 1회차
총 20문항 · 객관식 · 정답·해설 포함
문제 1
균질한 저항을 갖는 원통형 도선의 길이를 늘여 원래 길이의 4배가 되는 원통형 도선을 만들었다. 도선의 전체 체적은 변하지 않는다고 가정할 때, 늘어난 도선의 저항값은 원래 도선의 저항값의 몇 배가 되겠는가?
116배
212배
38배
44배
문제 2
교류전압 v(t)=Vmsin⁡ωtv(t)=V_m\sin\omega t [V]에 대한 다음의 설명 중 옳지 않은 것은?
1이 전압을 1[Ω]의 저항에 인가할 때 전류의 최대값은 VmV_m이다.
2이 전압의 한 주기 평균값은 0[V]이다.
3이 전압의 실효값은 Vm2\frac{V_m}{2}이다.
4이 전압을 1[Ω]의 저항에 인가할 때 전력 소모의 평균값은 Vm22\frac{V_m^2}{2}이다.
문제 3
다음과 같이 구성된 회로가 있다. 제너다이오드 D1D_1, D3D_3의 항복전압은 6[V]이고, 일반다이오드 D2D_2의 문턱 전압은 0.7[V]일 경우 Vout1V_{\mathrm{out1}}과 Vout2V_{\mathrm{out2}}는 얼마인가? (단, 다이오드의 내부저항은 무시한다.)

1Vout1=6.7V_{\mathrm{out1}}=6.7[V], Vout2=6V_{\mathrm{out2}}=6[V]
2Vout1=12V_{\mathrm{out1}}=12[V], Vout2=6V_{\mathrm{out2}}=6[V]
3Vout1=12.7V_{\mathrm{out1}}=12.7[V], Vout2=6.7V_{\mathrm{out2}}=6.7[V]
4Vout1=20V_{\mathrm{out1}}=20[V], Vout2=6.7V_{\mathrm{out2}}=6.7[V]
문제 4
반도체 내에서 캐리어(carrier)의 이동도(mobility) μ\mu와 확산계수 DD 사이의 관계를 나타낸 것 중 옳은 것은? (단, kk는 볼츠만(Boltzmann)상수, TT는 절대 온도, qq는 캐리어의 전하이다.)
1Dμ=kTq\frac{D}{\mu}=\frac{kT}{q}
2Dμ=kTq\sqrt{\frac{D}{\mu}}=\frac{kT}{q}
3Dμ=kTq\frac{D}{\mu}=\sqrt{\frac{kT}{q}}
4μD=kTq\frac{\mu}{D}=\frac{kT}{q}
문제 5
다음의 회로에서 입력전원 vin(t)=5sin⁡400tv_{\mathrm{in}}(t)=5\sin 400t [V]가 인가되었을 때의 역률(power factor)은? (단, R=25R=25 [kΩ], C=0.1C=0.1 [μF]이다.)

10.5
21
313\frac{1}{\sqrt{3}}
412\frac{1}{\sqrt{2}}
문제 6
FET증폭기가 60[%] 효율을 가진다고 가정할 때, 전력 출력이 6.4[W]라면, 직류 드레인 입력전력은 약 얼마인가?
13.8[W]
29.4[W]
310.7[W]
413.8[W]
문제 7
10진수 40의 2의 보수를 2진수로 옳게 나타낸 것은?
1101000(2)
2011000(2)
3010111(2)
4101001(2)
문제 8
다음 신호 흐름도에서 이득 YR\frac{Y}{R}는?

1YR=abcd1+be+cf+dg\frac{Y}{R}=\frac{abcd}{1+be+cf+dg}
2YR=abcd1+be+cf+dg−bdeg\frac{Y}{R}=\frac{abcd}{1+be+cf+dg-bdeg}
3YR=abcd1−be−cf−dg+bdeg\frac{Y}{R}=\frac{abcd}{1-be-cf-dg+bdeg}
4YR=abcd1+be+cf+dg+bdeg\frac{Y}{R}=\frac{abcd}{1+be+cf+dg+bdeg}
문제 9
다음 회로에서 이미터 저항 RER_E에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

1입력저항에 영향을 준다.
2동작점이 안정된다.
3RER_E가 클수록 컬렉터 전류는 증가한다.
4전압이득이 감소한다.
문제 10
다음 중 이상적인 연산 증폭기의 조건이 아닌 것은?
1출력저항 RO=∞이다.
2입력저항 Ri=∞이다.
3대역폭 BW=∞이다.
4전압이득 Av=∞이다.
문제 11
자속밀도가 BB[wb/m2]인 자계 내에서 ii[A]의 전류가 흐르고 있는 길이 ll[m]의 직선 도체를 자계의 방향으로 θ\theta[°]의 각을 갖도록 놓았을 때, 이 도체에 작용하는 힘으로 옳은 것은?
1Blisin⁡θBli\sin\theta
2Bilsin⁡θ\frac{Bi}{l}\sin\theta
3Blicos⁡θBli\cos\theta
4Bilcos⁡θ\frac{Bi}{l}\cos\theta
문제 12
다음 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, viv_i는 입력 전압이고, vOv_O는 출력 전압이다.)

1전압 이득은 1에 가깝다.
2출력신호와 입력신호는 위상이 같다.
3부하 저항이 변화해도 전류·전압·전력 이득은 일정하다.
4높은 임피던스를 갖는 부하저항과 정합(matching)에 자주 사용한다.
문제 13
다음 회로에서 전류 ii는 몇 [A]인가?

13[A]
24[A]
36[A]
48[A]
문제 14
다음 R−L−CR-L-C 직렬회로에서 t=0t=0인 경우 스위치가 닫힌다. 그때 전류 i(t)i(t)의 응답이 임계제동(critical damping)이 되기 위한 저항 RR의 값으로 옳은 것은? (단, vc(0)=1v_c(0)=1 [mV], i(0)=0i(0)=0[A]이고, L=100L=100 [mH], C=10C=10[μF]이다.)

150[Ω]
2100[Ω]
3150[Ω]
4200[Ω]
문제 15
다음 그림의 연산 증폭기에서 V1V_1=1[V], V2V_2=2[V], V3V_3=3[V]일 때, 출력 VOV_O는?

14[V]
25[V]
36[V]
47[V]
문제 16
IIL=−0.1I_{IL}=-0.1[mA], IIH=10I_{IH}=10[μA], IOL=5I_{OL}=5[mA], IOH=−400I_{OH}=-400[μA]인 74계열 IC 칩의 fan out은? (단, 여기서 IILI_{IL}은 LOW 레벨로 인식하는 최소 입력 전류, IIHI_{IH}는 HIGH 레벨로 인식하는 최대 입력 전류, IOLI_{OL}은 LOW 레벨의 최소 출력 전류, IOHI_{OH}는 HIGH 레벨의 최대 출력 전류를 의미한다.)
110
240
350
480
문제 17
다음의 트랜지스터 전압분배 바이어스 회로에서 전압 VCEV_{CE}의 값으로 옳은 것은? (단, R1R_1=10[kΩ], R2R_2=2[kΩ], RCR_C=4[kΩ], RER_E=1[kΩ], VCCV_{CC}=12[V], VBEV_{BE}=0.7[V], IC=IEI_C=I_E)

13.5[V]
25.5[V]
37.5[V]
49.5[V]
문제 18
다음 중 PN 접합 다이오드의 특성으로 옳지 않은 것은?
1P형 반도체의 다수 캐리어는 정공이다.
2순방향 바이어스를 걸어주면 전위장벽이 높아진다.
3역방향 바이어스를 걸어주면 공핍층이 넓어진다.
4N형 반도체는 Si에 불순물인 5족 원소(예 : P, As)를 첨가하여 만든다.
문제 19
다음 회로에서 최대전력을 RLR_L에 전달하기 위한 RLR_L의 값과 그 때 RLR_L에 전달되는 최대전력 PLP_L의 값으로 옳은 것은?

1RLR_L=4[kΩ]일 때, PLP_L=4[mW]
2RLR_L=4[kΩ]일 때, PLP_L=5[mW]
3RLR_L=5[kΩ]일 때, PLP_L=4[mW]
4RLR_L=5[kΩ]일 때, PLP_L=5[mW]
문제 20
다음 논리회로의 기능으로 옳은 것은?

1XOR(Exclusive−OR)
2XNOR(Exclusive−NOR)
3OR
4AND