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1[신재생에너지발전설비기사 필기] 20년 1회차

밴드갭 에너지는 반도체의 특성을 구분하는 매우 중요한 요소다. Si, GaAs, Ge를 밴드갭 에너지의 크기순으로 옳게 나열한 것은?

Si＞GaAs＞Ge

GaAs＞Ge＞Si

GaAs＞Si＞Ge

Ge＞GaAs＞Si

해설

밴드갭 에너지는  $\mathrm{GaAs} \approx 1.42\ \mathrm{eV}$ ,  $\mathrm{Si} \approx 1.12\ \mathrm{eV}$ ,  $\mathrm{Ge} \approx 0.66\ \mathrm{eV}$  순으로 크므로, GaAs가 가장 크고 Ge가 가장 작다.
따라서 밴드갭 에너지 크기 순서는  $\mathrm{GaAs} > \mathrm{Si} > \mathrm{Ge}$  이다.

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