트랜지스터에서 컬렉터의 역방향 바이어스를 계속 증대시키면 컬렉터 접합의… | [전자기사 필기] 17년 2회차 기출문제 상세 페이지

트랜지스터에서 컬렉터 역방향 바이어스를 계속 증대시키면 컬렉터 접합의 공핍층이 확대되다가, 결국 이미터 접합의 공핍층과 만나서 베이스 중성영역이 완전히 소멸하는 현상을 Punch-Through라고 한다.
이 때 베이스-컬렉터 전압이 Punch-Through 전압(V_PT)에 도달하며, 이를 초과하면 베이스를 통하지 않고도 이미터에서 컬렉터로 직접 주입된 소수캐리어들이 베이스 영역 없이 수집되어 급격한 누설전류 증가가 발생한다.
Early: 유한한 출력 임피던스 현상이다.
Tunnel: 터널링 붕괴이다.
Drift: 베이스 내 불순물 농도 기울기에 의한 효과이다.