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접합 트랜지스터의 직류전류증폭률(hFE)에 관한 설 상세 페이지

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1[전자기사 필기] 18년 3회차

접합 트랜지스터의 직류전류증폭률(h_F_E)에 관한 설명 중 틀린 것은?

1

h_F_E는 이미터 도핑(doping)에 비례한다.

2

h_F_E는 베이스 폭에 비례한다.

3

h_F_E는 베이스 도핑(doping)에 비례한다.

4

h_F_E는 컬렉터 전류의 변화가 큰 경우 증가한다.

해설

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