온실가스ㆍ에너지 목표관리 운영 등에 관한 지침상 전자산업의 웨이퍼 가공… | [온실가스관리기사 필기] 16년 2회차 기출문제 상세 페이지

웨이퍼 가공 전체를 통틀어 공정배출로 잡히는 것은 불소계 온실가스(CF₄, C₂F₆, CHF₃, SF₆, NF₃ 등)를 직접 투입하는 공정뿐이다. 투입한 가스 중 일부가 반응하지 않고 그대로 빠져나가거나 다른 불소계 화합물로 바뀌어 대기로 나가기 때문이다.
대표 공정은 식각과 화학기상 증착이다. 식각에서는 플라즈마 상태의 불소계 가스로 박막을 선택적으로 깎아내며 미반응 가스가 배출되고, 화학기상 증착에서는 증착 후 챔버 내벽에 쌓인 부산물을 불소계 가스로 제거하는 챔버 세정 과정에서 배출된다.
산화공정은 고온 산화막 성장, 감광액 도포·노광·현상은 감광막을 다루는 사진공정, 이온주입은 도펀트 주입, 금속배선은 배선 형성 단계로, 온실가스가 공정 자체에서 생성되지 않으므로 배출이 있다면 전력·연료 사용에 따른 것이지 공정배출이 아니다.