온실가스ㆍ에너지 목표관리 운영 등에 관한 지침상 전자산업의 보고대상 배… | [온실가스관리기사 필기] 18년 1회차 기출문제 상세 페이지
1[온실가스관리기사 필기] 18년 1회차
온실가스ㆍ에너지 목표관리 운영 등에 관한 지침상 전자산업의 보고대상 배출시설 중 증착시설(CVD 등)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1
일반적인 CVD 장치는 크게 원료수송부, 반응기, 부산물 배출구의 세부분으로 나눌 수있다.
2
산이나 알칼리 용액에 표면처리를 위하여 담구거나 원료 및 제품을 중화시키는 공정이다.
3
CVD법에 의한 화학반응의 종류로는 이종반응(heterogeneous reaction)이 대표적이다.
4
기체, 액체 혹은 고체상태의 원료화합물을 반응기 내에 공급하여 기판 표면에서의 화학적 반응을 유도함으로써 반도체 기관 위에 고체 반응생성물인 박막층을 형성하는 공정이다.
해설
화학기상증착(CVD) 공정은 기체·액체·고체 상태의 원료화합물을 반응기에 공급해 기판(웨이퍼) 표면에서 화학반응을 유도함으로써 고체 박막을 형성하는 공정으로, 크게 원료수송부·반응기·부산물 배출구로 구성되며 반응의 상당 부분이 기판 표면에서 일어나는 이종반응(heterogeneous reaction) 형태를 띤다.
반면 산이나 알칼리 용액에 담가 표면을 처리하거나 원료·제품을 중화시키는 공정은 습식 세정·표면처리 공정에 해당하며, 기상의 화학반응으로 박막을 형성하는 증착 원리와는 별개의 공정이다.
따라서 증착시설에 대한 설명으로는 적절하지 않다.
내용에 오류가 있거나 최신 법령·기준과 다른 부분이 보이면 알려주세요. 확인 후 반영하겠습니다.