Ge 다이오드와 Si 다이오드를 비교한 내용으로 틀린 것은? | [정보통신산업기사 필기] 21년 2회차 기출문제 상세 페이지
1[정보통신산업기사 필기] 21년 2회차
Ge 다이오드와 Si 다이오드를 비교한 내용으로 틀린 것은?
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진성재료로서 Ge이 Si보다 1[cm2] 당 자유전자의 개수가 적다.
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Si 다이오드에 대한 정격전압은 약 1000[V]이고 Ge 다이오드에 대한 정격전압은 약 400[V] 이다.
3
Si 다이오드는 온도정격은 약 200[℃]이고 Ge 다이오드의 온도정격은 약 100[℃]이다.
4
Si 다이오드의 문턱전압은 0.7[V]이고 Ge 다이오드인 경우는 0.3[V]이다.
해설
Ge이 Si보다 자유전자가 적다는 설명이 틀렸다. 진성 상태에서 Ge은 Si보다 단위 부피당 자유전자가 더 많다.
Ge은 에너지 갭이 작아(Ge 약 0.7eV, Si 약 1.1eV) 열에 의해 전자-정공 쌍이 더 쉽게 생기므로 온도 특성이 나쁘다.
- 정격전압 — Si 다이오드가 Ge 다이오드보다 높다는 서술은 옳다.
- 온도정격 — Si 다이오드가 Ge 다이오드보다 높다는 서술은 옳다.
- 문턱전압 — Si는 약 0.7V, Ge는 약 0.3V라는 서술은 옳다.
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