IGBT(절연 게이트 양극성 트랜지스터)에 대한 설명으로 틀린 것은? 상세 페이지
1[전기기능사 필기] 19년 1회차
IGBT(절연 게이트 양극성 트랜지스터)에 대한 설명으로 틀린 것은?
1
MOSFET과 BJT의 장점을 결합한 소자이다
2
게이트 구동 전력이 작다
3
대전류·고전압용 스위칭에 적합하다
4
게이트에 큰 전류를 흘려야 턴온된다
해설
IGBT는 입력측이 MOSFET 구조이므로 게이트 전압으로 구동되며 큰 게이트 전류가 필요 없다. MOSFET의 간편한 전압 구동 특성과 BJT의 낮은 도통 손실·대전류 특성을 겸비하여 인버터 등 대용량 전력변환에 널리 쓰인다. [근거] 전력전자 소자 특성(IGBT=전압 구동형)
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