반도체 공정에 대한 설명 중 틀린 것은? | [화공기사 필기] 15년 1회차 기출문제 상세 페이지
1[화공기사 필기] 15년 1회차
반도체 공정에 대한 설명 중 틀린 것은?
1
감광반응 되지 않은 부분을 제거하는 공정을 에칭이라 하며, 건식과 습식으로 구분할 수있다.
2
감광성 고분자를 이용하여 실리콘웨이퍼에 회로패턴을 전사하는 공정을 리소그래피(lithography)라고 한다.
3
화학기상증착법 등을 이용하여 3족 또는 6족의 불순물을 실리콘웨이퍼내로 도입하는 공정을 이온주입이라 한다.
4
웨이퍼 처리공정 중 잔류물과 오염물을 제거하는 공정을 세정이라 하며 건식과 습식으로 구분할 수 있다.
해설
화학기상증착법(CVD) 등으로 불순물을 웨이퍼 내부로 도입하는 공정은 확산(diffusion)이며, 이온주입(ion implantation)은 가속된 이온을 빔 형태로 직접 주입하는 별개의 물리적 공정이므로 이 설명은 옳지 않다.
- 감광되지 않은 부분을 제거하는 에칭 공정을 건식·습식으로 나눈다는 설명은 옳다.
- 감광성 고분자로 회로패턴을 전사하는 리소그래피 설명도 옳다.
- 잔류물·오염물을 제거하는 세정 공정을 건식·습식으로 나눈다는 설명도 옳다.
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