진성 반도체(intrinsic semiconductor)에 대한 설명 … | [화공기사 필기] 20년 1회차 기출문제 상세 페이지
1[화공기사 필기] 20년 1회차
진성 반도체(intrinsic semiconductor)에 대한 설명 중 틀린 것은?
1
전자와 hole쌍에 의해서만 전도가 일어난다.
2
Fermi 준위가 band gap내의 valence band 부근에 형성된다.
3
결정 내에 불순물이나 결함이 거의 없는 화학양론적 도체를 이룬다.
4
낮은 온도에서는 부도체와 같지만 높은 온도에서는 도체와 같이 거동한다.
해설
진성반도체에서 페르미 준위는 밴드갭의 중앙 부근에 위치하므로, 페르미 준위가 가전자대(valence band) 부근에 형성된다는 설명은 틀렸다.
페르미 준위가 가전자대 쪽으로 치우치는 것은 정공이 많은 p형(외인성) 반도체의 특징이지 진성반도체의 특징이 아니다.
전자-정공쌍에 의해서만 전도가 일어나고, 불순물·결함이 거의 없는 화학양론적 물질이며, 저온에서는 부도체처럼 고온에서는 도체처럼 거동한다는 나머지 설명은 진성반도체의 타당한 특징이다.
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