반도체 공정에 대한 설명 중 틀린 것은? | [화공기사 필기] 20년 2회차 기출문제 상세 페이지
1[화공기사 필기] 20년 2회차
반도체 공정에 대한 설명 중 틀린 것은?
1
감광반응되지 않은 부분을 제거하는 공정을 에칭이라 하며, 건식과 습식으로 구분할 수 있다.
2
감광성 고분자를 이용하여 실리콘웨이퍼에 회로패턴을 전사하는 공정을 리소그래피(lithography) 라고 한다.
3
화학기상증착법 등을 이용하여 3족 또는 6족의 불순물을 실리콘웨이퍼내로 도입하는 공정을 이온주입이라 한다.
4
웨이퍼 처리공정 중 잔류물과 오염물을 제거하는 공정을 세정이라 하며, 건식과 습식으로 구분할 수 잇다.
해설
화학기상증착법으로 3족 또는 6족 불순물을 웨이퍼에 도입하는 공정을 이온주입이라 한다는 설명이 틀렸다.
이온주입(ion implantation)은 화학기상증착이 아니라 이온빔을 가속시켜 직접 주입하는 물리적 공정이며, 실리콘의 도핑에는 보통 3족(예: 붕소) 또는 5족(예: 인, 비소) 원소가 쓰인다.
- 감광되지 않은 부분을 제거하는 에칭 공정은 건식·습식으로 구분된다는 설명은 옳다.
- 감광성 고분자로 회로패턴을 전사하는 리소그래피 정의도 옳다.
- 잔류물·오염물을 제거하는 세정 공정을 건식·습식으로 구분하는 것도 옳다.
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