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1[전기공사기사 필기] 15년 3회차
MOSFET, BJT, GTO의 이점을 조합한 전력용 반도체 소자로서 대전력의 고속 스위칭이 가능한 소자는?
1
게이트 절연 양극성 트랜지스터
2
MOS제어 사이리스터
3
금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터
4
모놀리틱 달링톤
해설
게이트 절연 양극성 트랜지스터(IGBT)는 게이트 구동이 쉬운 MOSFET의 특성과, 온저항이 낮고 대전류를 다룰 수 있는 BJT·GTO의 특성을 결합한 소자이다.
이 덕분에 대전력을 고속으로 스위칭할 수 있어 인버터 등 전력변환 장치에 널리 쓰인다. MOS제어 사이리스터, MOSFET 단독, 모놀리틱 달링톤은 스위칭 속도나 전력 용량 면에서 이러한 조합 특성을 동시에 만족시키지 못한다.
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