IGBT 의 설명으로 틀린 것은? | [전기공사기사 필기] 19년 1회차 기출문제 상세 페이지
1[전기공사기사 필기] 19년 1회차
IGBT 의 설명으로 틀린 것은?
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GTO 사이리스터처럼 역방향 전압저지 특성을 갖는다.
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오프상태에서 SCR 사이리스터처럼 양방향 전압저지 능력을 갖는다.
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게이트와 에미터간 입력 임피던스가 매우 높아 BJT 보다 구동하기 쉽다.
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BJT처럼 온드롭(no-drop)이 전류에 관계없이 낮고 거의 일정하여 MOSFET 보다 큰 전류를 흘릴 수 있다.
해설
IGBT는 게이트 쪽에 MOSFET 구조, 출력단에 BJT 구조를 결합한 소자로, 오프 상태에서 SCR(사이리스터)처럼 순방향과 역방향을 대칭적으로 저지하는 양방향 전압저지 능력까지 갖추지는 못한다. 따라서 SCR과 같은 양방향 저지 능력을 갖는다는 설명이 틀린 내용이다.
반면 게이트-에미터 간 입력 임피던스가 매우 높아 전압 구동이 가능해 BJT보다 구동이 쉽고, 온 상태의 전압강하가 전류에 관계없이 낮게 유지되어 MOSFET보다 큰 전류를 흘릴 수 있다는 설명은 IGBT의 실제 특성과 일치한다.
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