IGBT 의 설명으로 틀린 것은? | [전기공사기사 필기] 19년 1회차 기출문제 상세 페이지
1[전기공사기사 필기] 19년 1회차
IGBT 의 설명으로 틀린 것은?
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GTO 사이리스터처럼 역방향 전압저지 특성을 갖는다.
2
오프상태에서 SCR 사이리스터처럼 양방향 전압저지 능력을 갖는다.
3
게이트와 에미터간 입력 임피던스가 매우 높아 BJT 보다 구동하기 쉽다.
4
BJT처럼 온드롭(on-drop)이 전류에 관계없이 낮고 거의 일정하여 MOSFET 보다 큰 전류를 흘릴 수 있다.
해설
IGBT는 입력부에 MOSFET, 출력부에 BJT 구조를 결합한 소자로, 오프 상태에서 SCR처럼 순·역방향을 대칭으로 막는 양방향 전압저지 능력은 갖추지 못한 것으로 본다. 따라서 공식 정답은 ②이다.
- 입력 임피던스: 게이트-에미터 간 임피던스가 매우 높아 전압으로 구동되므로 BJT보다 구동이 쉽다.
- 온 전압강하: BJT처럼 전류에 관계없이 낮고 거의 일정해 MOSFET보다 큰 전류를 흘릴 수 있다.
※ 'GTO처럼 역방향 전압저지 특성을 갖는다'는 보기와 '양방향 전압저지' 보기는 내용이 겹쳐 논란의 소지가 있다. 구조에 따라 어느 정도 역방향 저지 능력을 갖는 IGBT도 있지만, 상용 IGBT는 역방향 저지 능력이 작아 역병렬 다이오드를 함께 쓰는 경우가 많다. 시험에서는 공식 정답 ②를 기준으로 하면 된다.
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