IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)에 대한 설명으로 틀 상세 페이지
1[전기기사 필기] 23년 1회차
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)에 대한 설명으로 틀린 것은?
1
게이트와 에미터 사이의 입력 임피던스가 매우 낮아 BJT 보다 구동하기 쉽다.
2
BJT처럼 on-drop 이 전류에 관계없이 낮고 거의 일정하며, MOSFET보다 훨씬 큰 전류를 흘릴 수 있다.
3
MOSFET와 같이 전압제어 소자이다.
4
GTO 사이리스터와 같이 역방향 전압저지 특성을 갖는다.
해설
정답은 ① 게이트와 에미터 사이의 입력 임피던스가 매우 낮아 BJT보다 구동하기 쉽다이며, 이 설명이 틀렸다. IGBT는 MOSFET처럼 전압제어 소자로 게이트 입력 임피던스가 매우 높기 때문에 전류구동형인 BJT보다 구동이 쉬운 것이다.
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