IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)… | [전기기사 필기] 20년 2회차 기출문제 상세 페이지
1[전기기사 필기] 20년 2회차
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)에 대한 설명으로 틀린 것은?
1
MOSFET와 같이 전압제어 소자이다.
2
GTO 사이리스터와 같이 역방향 전압저지 특성을 갖는다.
3
게이트와 에미터 사이의 입력 임피던스가 매우 낮아 BJT 보다 구동하기 쉽다.
4
BJT처럼 on-drop 이 전류에 관계없이 낮고 거의 일정하며, MOSFET보다 훨씬 큰 전류를 흘릴 수 있다.
해설
IGBT는 게이트-에미터 사이의 입력 임피던스가 매우 높아 적은 구동전력으로도 스위칭이 가능하며, 이 점이 BJT보다 구동하기 쉬운 이유이다.
따라서 입력 임피던스가 매우 낮다는 서술은 옳지 않다.
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