GaAs 반도체 재료는 실온에서 1.4eV의 에너지 밴드의 갭을 갖고 있다. GaAs를 사 상세 페이지

1[광학기사 필기] 20년 1회차

GaAs 반도체 재료는 실온에서 1.4eV의 에너지 밴드의 갭을 갖고 있다. GaAs를 사용한 반도체레이저의 발진파장은?

805nm

886nm

924nm

975nm

해설

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