반도체 측정기내에서 전자-정공(electron-hole)쌍을 만드는데 필요한 에너지는 Si가 3.23eV, Ge이 2.84eV, InAs이 0.06eV, CdS이 5.2eV이다. 다음 중 어떤 반도체로 만든 측정기의 분해능이 가장 우수하겠는가? (단, 측정기로서 필요한 다른 조건은 무시한다.)
1
InAs
2
Ge
3
Si
4
CdS
해설
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