다음 중 실리콘 BJT의 순방향 바이어스된 베이스-이미터 접합의 양단 … | [철도신호기사 필기] 11년 1회차 기출문제 상세 페이지
1[철도신호기사 필기] 11년 1회차
다음 중 실리콘 BJT의 순방향 바이어스된 베이스-이미터 접합의 양단 전압은?
1
0.1[V]
2
0.2[V]
3
0.4[V]
4
0.7[V]
해설
실리콘 BJT의 베이스-이미터 접합이 순방향으로 바이어스되면 실리콘 PN 접합의 문턱전압(barrier potential)인 약 부근에서 전도가 시작된다.
게르마늄 접합의 순방향 전압이 약 0.2~0.3V인 것과 달리, 실리콘 접합은 밴드갭이 커서 문턱전압이 더 높게 나타난다.
- 0.1V와 0.2V는 실리콘 접합의 문턱전압에 크게 못 미치는 값으로, 이 구간에서는 접합이 거의 전도되지 않는다.
- 0.4V도 순방향 전류가 본격적으로 흐르기 전의 낮은 전압 구간에 해당한다.
내용에 오류가 있거나 최신 법령·기준과 다른 부분이 보이면 알려주세요. 확인 후 반영하겠습니다.