모두CBT
P형 반도체에 대한 설명 중 틀린 것은?
4가인 Ge이나 Si에 3가인 Ga, In 등을 넣어 만든다.
다수 캐리어가 정공인 불순물 반도체이다.
불순물 첨가에 의해 새로운 에너지 준위인 억셉터 준위가 생긴다.
불순물을 다량으로 도핑할수록 전기적인 저항이 증가한다.
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