[9급 서울시 전자공학개론] 18년 2회차 기출문제 정답·해설 페이지

[9급 서울시 전자공학개론] 18년 2회차
    1[9급 서울시 전자공학개론] 18년 2회차
    반도체 소자에 전압을 가하면 전계에 의하여 전류가 흐르게 되는데, 이때 발생하는 전류로 가장 옳은 것은?
    1
    이온 전류(ionic current)
    2
    확산 전류(diffusion current)
    3
    드리프트 전류(drift current)
    4
    전자기 유도 전류(electromagnetically induced current)
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    2[9급 서울시 전자공학개론] 18년 2회차
    3×10−43\times10^{-4}[C] 및 2×10−52\times10^{-5}[C]의 전하량을 갖는 두 전하가 3차원 진공 공간에서 각각 (2, 2, 3) (3, 0, 4) 위치에 놓여 있을 때, 전기력 F의 값은? (단, ε0=136π×10−9\varepsilon_0=\frac{1}{36\pi}\times10^{-9}이다.)
    1
    1.5[N]
    2
    3[N]
    3
    6[N]
    4
    9[N]
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    3[9급 서울시 전자공학개론] 18년 2회차
    어떤 선형 시스템의 입력 R(s)R(s)와 출력 Y(s)Y(s)사이의 전달함수 G(s)=Y(s)R(s)G(s)=\frac{Y(s)}{R(s)}가 <보기>와 같다. R(s)=1sR(s)=\frac{1}{s}일 때, lim⁡t→∞y(t)\lim_{t\to\infty}y(t)의 값은?
    G(s)=100s2+10s+100G(s)=\frac{100}{s^2+10s+100}
    1
    0
    2
    1
    3
    2
    4
    3
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    4[9급 서울시 전자공학개론] 18년 2회차
    <보기>와 같은 드레인-소스 전압 대 드레인 전류 특성을 갖는 소자로 가장 옳은 것은?

    문제 이미지
    1
    n-channel JFET
    2
    p-channel JFET
    3
    p-channel 공핍형 MOS FET
    4
    n-channel 증가형 MOS FET
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    5[9급 서울시 전자공학개론] 18년 2회차
    <보기>의 실리콘 pnp 트랜지스터 전압분배 바이어스 회로에서 VECV_{EC}의 값은?

    문제 이미지
    1
    8.2[V]
    2
    7.5[V]
    3
    5.5[V]
    4
    2.7[V]
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    6[9급 서울시 전자공학개론] 18년 2회차
    <보기>의 이상적인 연산증폭기(op-amp) 회로에서 전달함수 G(s)=Y(s)U(s)G(s)=\frac{Y(s)}{U(s)}는?

    문제 이미지
    1
    G(s)=0.5+0.5sG(s)=0.5+0.5s
    2
    G(s)=1+sG(s)=1+s
    3
    G(s)=1+2sG(s)=1+2s
    4
    G(s)=2+sG(s)=2+s
    해설
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    7[9급 서울시 전자공학개론] 18년 2회차
    <보기>의 회로에 교류전압원 vs(t)=10sin⁡tv_s(t)=10\sin t[V]가 인가될 때 저항 양단의 평균전압을 구한 것으로 가장 옳은 것은? (단, 회로의 다이오드는 실리콘다이오드이다.)

    문제 이미지
    1
    약 2.9[V]
    2
    약 3.2[V]
    3
    약 6.4[V]
    4
    약 7[V]
    해설
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    8[9급 서울시 전자공학개론] 18년 2회차
    <보기> 진리표의 출력 Y에 해당하는 논리식으로 가장 옳은 것은?
    입력A0000000011111111
    B0000111100001111
    C0011001100110011
    D0101010101010101
    출력Y0101010111000000
    1
    A‾C+AB‾ C‾\overline{A}C+A\overline{B}\,\overline{C}
    2
    A‾D+AB‾C\overline{A}D+A\overline{B}C
    3
    A‾D+AB‾ C‾\overline{A}D+A\overline{B}\,\overline{C}
    4
    AD‾+AB‾ C‾A\overline{D}+A\overline{B}\,\overline{C}
    해설
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    9[9급 서울시 전자공학개론] 18년 2회차
    시스템의 전달함수 H(s)=3s+5s2+3s+2H(s)=\frac{3s+5}{s^2+3s+2} (ROC: −2<Re{s}<−1-2<\mathrm{Re}\{s\}<-1)로 주어질 때, 임펄스 응답 h(t)h(t)는? (단, 여기서 ROC(Region Of Convergence)는 수렴영역을 말하고, H(s)H(s)는 h(t)h(t)의 라플라스(Laplace) 변환 값(H(s)=L{h(t)}H(s)=\mathcal{L}\{h(t)\})을 나타낸다.)
    1
    h(t)=e−2tu(t)−2e−tu(−t)h(t)=e^{-2t}u(t)-2e^{-t}u(-t)
    2
    h(t)=e−2tu(t)+2e−tu(−t)h(t)=e^{-2t}u(t)+2e^{-t}u(-t)
    3
    h(t)=e−2tu(−t)−2e−tu(−t)h(t)=e^{-2t}u(-t)-2e^{-t}u(-t)
    4
    h(t)=e−2tu(−t)+2e−tu(−t)h(t)=e^{-2t}u(-t)+2e^{-t}u(-t)
    해설
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    10[9급 서울시 전자공학개론] 18년 2회차
    부울함수 Y=(A⊕B)(A‾+B‾)Y=(A\oplus B)(\overline{A}+\overline{B})를 간략히 했을 때 가장 옳은 것은?
    1
    A⊕BA\oplus B
    2
    A⊕B‾\overline{A\oplus B}
    3
    A‾+B‾\overline{A}+\overline{B}
    4
    A+BA+B
    해설
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    11[9급 서울시 전자공학개론] 18년 2회차
    전력계통의 전원선, 통신선, 신호선 등의 도체를 통하여 과도 이상 전압이 침입하면 전기기기, 전자부품의 파손이 발생한다. 이를 예방하기 위하여 전류변화를 억제하거나 최소화하는 장비로 가장 옳은 것은?
    1
    접지
    2
    서지보호기
    3
    퓨즈(fuse)
    4
    누전차단기
    해설
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    12[9급 서울시 전자공학개론] 18년 2회차
    신호(signal)와 잡음(noise)의 전력 밀도 스펙트럼(Power spectral density)이 <보기>와 같이 주어질 때, 신호 대 잡음비(SNR) ( ㉠ )를 구하고, 차단 주파수 fc=0.5fNf_c=0.5f_N로 주어지는 이상적인 저역통과필터(ideal low-pass filter)를 통과하였을 때의 신호 대 잡음비 ( ㉡ )를 구한 것으로 가장 옳은 것은? (단, log⁡102=0.3\log_{10}2=0.3으로 한다.)

    문제 이미지
    1
    ㉠ -10[dB] ㉡ 3[dB]
    2
    ㉠ -10[dB] ㉡ 5[dB]
    3
    ㉠ 0[dB] ㉡ 5[dB]
    4
    ㉠ 0[dB] ㉡ 3[dB]
    해설
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    13[9급 서울시 전자공학개론] 18년 2회차
    <보기>의 회로에서 R5=5ΩR_5=5\Omega에 흐르는 전류는?

    문제 이미지
    1
    0.2[A]
    2
    0[A]
    3
    13\frac{1}{3}[A]
    4
    1[A]
    해설
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    14[9급 서울시 전자공학개론] 18년 2회차
    <보기> 주기신호 v(t)v(t)의 실횻값은?

    문제 이미지
    1
    0
    2
    1
    3
    2\sqrt{2}
    4
    2
    해설
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    15[9급 서울시 전자공학개론] 18년 2회차
    내부 임피던스 Zg=0.3−j5Z_g=0.3-j5[Ω]인 발전기에 임피던스가 Zl=1.7+j3Z_l=1.7+j3[Ω]인 선로를 연결하여 부하에 전력을 공급하고자 한다. 이때 부하에 최대전력이 전송되기 위한 부하 임피던스 Z0Z_0[Ω] 값으로 가장 옳은 것은?
    1
    2+j22+j2
    2
    2−j22-j2
    3
    2
    4
    -2
    해설
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    16[9급 서울시 전자공학개론] 18년 2회차
    <보기>와 같은 직렬 R−L−CR-L-C 회로에서 RR=200[Ω], LL=1[mH], CC=1.0[nF]으로 주어질 때, 커패시터 CC에 전하가 충전된 상태에서 스위치 SS를 OFF에서 ON하는 순간 회로에 흐르는 전류 I(t)I(t)에 대한 파형으로 가장 옳은 것은?

    문제 이미지
    1
    [그림]
    2
    [그림]
    3
    [그림]
    4
    [그림]
    해설
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    17[9급 서울시 전자공학개론] 18년 2회차
    입력신호 x(t)x(t)가 이상적인 적분기를 통과할 때, 입력의 전력 밀도 스펙트럼 Sx(w)S_x(w)와 출력의 전력 밀도 스펙트럼 Sy(w)S_y(w)의 관계식으로 가장 옳은 것은?
    1
    Sy(w)=∣1jw∣Sx(w)S_y(w)=\left|\frac{1}{jw}\right|S_x(w)
    2
    Sy(w)=∣1jw∣2Sx(w)S_y(w)=\left|\frac{1}{jw}\right|^2S_x(w)
    3
    Sy(w)=∣w∣2Sx(w)S_y(w)=|w|^2S_x(w)
    4
    Sy(w)=∣jw∣2Sx(w)S_y(w)=|jw|^2S_x(w)
    해설
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    18[9급 서울시 전자공학개론] 18년 2회차
    10kHz로 샘플링(sampling)된 1000개의 이산신호(discrete signal)에 대해 2000-point 이산 푸리에 변환(Discrete Fourier Transform; DFT)을 수행하는 경우, 10번째(㉠), 500번째(㉡) DFT계수에 해당하는 주파수는?
    1
    ㉠ 10[Hz] ㉡ 500[Hz]
    2
    ㉠ 50[Hz] ㉡ 500[Hz]
    3
    ㉠ 100[Hz] ㉡ 5,000[Hz]
    4
    ㉠ 50[Hz] ㉡ 2,500[Hz]
    해설
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    19[9급 서울시 전자공학개론] 18년 2회차
    <보기>의 논리회로에서 출력 YY는?

    문제 이미지
    1
    A+BA+B
    2
    ABAB
    3
    A⊕BA\oplus B
    4
    A⊕B‾\overline{A\oplus B}
    해설
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    20[9급 서울시 전자공학개론] 18년 2회차
    <보기>의 회로에서 a−ba-b에서 바라본 테브난(Thevenin) 등가저항( ㉠ )과 전압( ㉡ )은?

    문제 이미지
    1
    ㉠ 10[Ω] ㉡ 10[V]
    2
    ㉠ 10[Ω] ㉡ 8[V]
    3
    ㉠ 8[Ω] ㉡ 10[V]
    4
    ㉠ 8[Ω] ㉡ 8[V]
    해설
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