[9급 서울시 전자공학개론] 19년 2회차 기출문제 정답·해설 페이지

[9급 서울시 전자공학개론] 19년 2회차
    1[9급 서울시 전자공학개론] 19년 2회차
    <보기>의 카르노 맵(Karnaugh map)으로 표현된 함수를 최소화하면?
    <보기>
    CD\ABCD \backslash ABA‾B‾\overline{A}\overline{B}A‾B\overline{A}BABABAB‾A\overline{B}
    C‾D‾\overline{C}\overline{D}1001
    C‾D\overline{C}D0000
    CDCD1111
    CD‾C\overline{D}1111
    1
    A‾B‾+C\overline{A}\overline{B}+C
    2
    B‾D‾+C\overline{B}\overline{D}+C
    3
    C‾D+C\overline{C}D+C
    4
    D‾A‾+C\overline{D}\overline{A}+C
    해설
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    2[9급 서울시 전자공학개론] 19년 2회차
    초과 3 코드(Excess-3 code) 0101001101001011을 10진수로 변환한 값은?
    1
    11061026
    2
    2018
    3
    2019
    4
    53411
    해설
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    3[9급 서울시 전자공학개론] 19년 2회차
    그림과 같이 정전용량이 C0C_0[F] 되는 평행판 공기 커패시터에서 판 면적의 13\frac{1}{3} 되는 공간에 비유전율 εs=12ε0\varepsilon_s=\frac{1}{2}\varepsilon_0인 유전체를 채우고, 나머지 13\frac{1}{3} 되는 공간에 비유전율 εs=2ε0\varepsilon_s=2\varepsilon_0인 유전체를 채우면 변경된 커패시터의 정전용량[F]은?

    문제 이미지
    1
    16C0\frac{1}{6}C_0
    2
    36C0\frac{3}{6}C_0
    3
    56C0\frac{5}{6}C_0
    4
    76C0\frac{7}{6}C_0
    해설
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    4[9급 서울시 전자공학개론] 19년 2회차
    두 점자극 사이의 거리를 14\frac{1}{4}배로 변경하고, 그 자기량을 각각 12\frac{1}{2}배, 4배로 조정하면 작용하는 힘은?
    1
    4배로 된다.
    2
    8배로 된다.
    3
    16배로 된다.
    4
    32배로 된다.
    해설
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    5[9급 서울시 전자공학개론] 19년 2회차
    물질 내부에 침투하는 빛에 의해 발생한 전자의 반은 표면에, 나머지 반은 내부로 확산하는 현상은?
    1
    쇼트키(Schottky) 효과
    2
    콤프턴(Compton) 효과
    3
    체적 광전 효과
    4
    표면 광전 효과
    해설
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    6[9급 서울시 전자공학개론] 19년 2회차
    그림과 같은 회로에서 vo=−4v_o=-4[V]일 때 RR의 값은?

    문제 이미지
    1
    5[Ω]
    2
    6[Ω]
    3
    7[Ω]
    4
    8[Ω]
    해설
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    7[9급 서울시 전자공학개론] 19년 2회차
    회로에서 스위치가 1의 위치로 정상상태에 머물러 있다가 t=0t=0인 순간 2의 위치로 바뀌었다. t=0t=0일 때와 t=∞t=\infty일 때(즉, 스위치의 위치가 2인 상태로 정상상태에 도달했을 때) 각각 인덕터를 통해 흐르는 전류 i(0)i(0)와 i(∞)i(\infty)의 값은?

    문제 이미지
    1
    i(0)=1i(0)=1[A], i(∞)=0i(\infty)=0[A]
    2
    i(0)=1i(0)=1[A], i(∞)=1i(\infty)=1[A]
    3
    i(0)=0i(0)=0[A], i(∞)=0i(\infty)=0[A]
    4
    i(0)=0i(0)=0[A], i(∞)=1i(\infty)=1[A]
    해설
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    8[9급 서울시 전자공학개론] 19년 2회차
    pn 접합 다이오드에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?
    1
    p영역에서의 소수 캐리어는 전자이다.
    2
    순바이어스 상태에서 과잉 소수 캐리어의 농도는 공핍층의 가장자리에서 가장 높다.
    3
    순바이어스 상태에서는 확산전류와 드리프트 전류의 크기가 같다.
    4
    드리프트 전류의 크기는 바이어스 전압의 크기와 무관하다.
    해설
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    9[9급 서울시 전자공학개론] 19년 2회차
    세 개의 입력 비트들의 합을 계산하는 조합회로를 전가산기라 한다. 전가산기의 출력은 합에 해당하는 SS와 캐리에 해당하는 CC가 있다. 전가산기의 입력을 xx, yy, zz라 할 때 SS와 CC 각각의 부울함수로 옳은 것은?
    1
    S=x‾y‾z‾+x‾yz+xy‾z+xyz‾, C=xy+xz+yzS=\overline{x}\overline{y}\overline{z}+\overline{x}yz+x\overline{y}z+xy\overline{z},\ C=xy+xz+yz
    2
    S=x‾yz+xyz+xyz‾+xy‾z, C=xy+xz+yzS=\overline{x}yz+xyz+xy\overline{z}+x\overline{y}z,\ C=xy+xz+yz
    3
    S=xy‾z+xyz‾+x‾y‾z‾+x‾yz, C=x‾y+x‾z+yzS=x\overline{y}z+xy\overline{z}+\overline{x}\overline{y}\overline{z}+\overline{x}yz,\ C=\overline{x}y+\overline{x}z+yz
    4
    S=x‾y‾z+x‾yz‾+xy‾z‾+xyz, C=xy+xz+yzS=\overline{x}\overline{y}z+\overline{x}y\overline{z}+x\overline{y}\overline{z}+xyz,\ C=xy+xz+yz
    해설
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    10[9급 서울시 전자공학개론] 19년 2회차
    그림과 같은 논리회로의 출력 FF에 대한 부울함수로 옳은 것은?

    문제 이미지
    1
    F=A(B+CD)+BC‾F=A(B+CD)+B\overline{C}
    2
    F=B(A+CD)F=B(A+CD)
    3
    F=A(B+CD+C‾)F=A(B+CD+\overline{C})
    4
    F=B‾(A+CD)F=\overline{B}(A+CD)
    해설
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    11[9급 서울시 전자공학개론] 19년 2회차
    그림과 같은 회로의 기능으로 옳은 것은?

    문제 이미지
    1
    저역 통과 필터(Low Pass Filter)
    2
    고역 통과 필터(High Pass Filter)
    3
    전역 통과 필터(All Pass Filter)
    4
    대역 통과 필터(Band Pass Filter)
    해설
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    12[9급 서울시 전자공학개론] 19년 2회차
    10진수 3103_{10}의 4비트 BCD 코드를 초과 3 코드(Excess-3 code)로 변환하고, 다시 그레이 코드(Gray code)로 변환하였을 때의 값은?
    1
    0100
    2
    1100
    3
    1010
    4
    0101
    해설
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    13[9급 서울시 전자공학개론] 19년 2회차
    만일 내부 코일 저항이 20[Ω]이라면, 2[kHz], 10[V] 전원에 연결된 30[mH] 코일의 품질계수 QQ의 값은?
    1
    3π3\pi
    2
    3
    3
    6π6\pi
    4
    6
    해설
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    14[9급 서울시 전자공학개론] 19년 2회차
    그림과 같은 회로에서 스위치는 오랫동안 단자 aa에 있었고, t=0t=0에서 단자 bb로 이동하였다. t≥0t\geq 0일 때 전압 v(t)v(t)의 값은?

    문제 이미지
    1
    (25+5e−10t)(25+5e^{-10t})[V]
    2
    (15+30e−10t)(15+30e^{-10t})[V]
    3
    (30+5e−20t)(30+5e^{-20t})[V]
    4
    (5+25e−20t)(5+25e^{-20t})[V]
    해설
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    15[9급 서울시 전자공학개론] 19년 2회차
    그림과 같은 회로에서 전압 VoV_o의 값은? (단, 연산증폭기 특성은 이상적임)

    문제 이미지
    1
    15[V]
    2
    20[V]
    3
    22[V]
    4
    25[V]
    해설
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    16[9급 서울시 전자공학개론] 19년 2회차
    그림의 회로에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?

    문제 이미지
    1
    1보다 큰 전압이득을 갖는다.
    2
    C2C_2를 제거하면 전압이득이 증가한다.
    3
    입출력 신호의 위상이 반대다.
    4
    C1C_1은 VinV_{\text{in}}에 포함된 DC 성분을 차단한다.
    해설
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    17[9급 서울시 전자공학개론] 19년 2회차
    <보기>와 같이 NPN 트랜지스터 동작모드에 대한 응용회로 ㉠, ㉡을 순서대로 표현한 것으로 옳은 것은?
    <보기>

    바이어스응용회로
    VBE>0, VBC<0V_{BE}>0,\ V_{BC}<0㉠
    VBE>0, VBC>0V_{BE}>0,\ V_{BC}>0㉡

    ㉠ ㉡
    문제 이미지
    1
    증폭기 닫힌 스위치
    2
    증폭기 개방 스위치
    3
    닫힌 스위치 개방 스위치
    4
    개방 스위치 증폭기
    해설
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    18[9급 서울시 전자공학개론] 19년 2회차
    그림의 빈 브리지 발진회로에서 발진하기 위한 R1R_1의 값은?

    문제 이미지
    1
    0.5[kΩ]
    2
    1[kΩ]
    3
    1.5[kΩ]
    4
    2[kΩ]
    해설
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    19[9급 서울시 전자공학개론] 19년 2회차
    1A의 전원을 삽입한 그림의 회로에서 테브난 등가저항 RthR_{th}[Ω]의 값은?

    문제 이미지
    1
    5013\frac{50}{13}
    2
    15
    3
    5015\frac{50}{15}
    4
    10
    해설
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    20[9급 서울시 전자공학개론] 19년 2회차
    3변수 함수 F(x, y, z)=∑m(0, 2, 3, 4, 6)F(x,\ y,\ z)=\sum m(0,\ 2,\ 3,\ 4,\ 6)를 간소화한 것으로 옳은 것은?
    1
    F=z‾+x‾yF=\overline{z}+\overline{x}y
    2
    F=x‾y+y‾zF=\overline{x}y+\overline{y}z
    3
    F=xz‾+yF=x\overline{z}+y
    4
    F=x+y‾zF=x+\overline{y}z
    해설
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